[发明专利]劈刀结构有效
| 申请号： | 201710353579.3 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN107275242B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 邱基华 | 申请（专利权）人： | 潮州三环（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 生启 |
| 地址： | 521000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种劈刀结构。包括劈刀本体，所述劈刀本体内设置有中心轴线与所述劈刀本体的中心轴线重合、且靠近所述劈刀本体端部的锥形壁，与所述锥形壁同轴设置的内腔壁，及连接所述锥形壁与所述内腔壁的第一弧形过渡壁；所述锥形壁、所述内腔壁和所述第一弧形过渡壁共同围成供焊线通过的过线通孔。在焊线相对过线通孔运动的过程中，由于在锥形壁与内腔壁之间连接有第一弧形过渡壁，消除了锥形壁与内腔壁之间连接处的尖角，实现了锥形壁与内腔壁之间连接的平顺过渡，有效避免了该尖角对焊线表面所产生的刮痕，确保焊线本身的机械强度，焊线不容易在外界冲击力或交变应力的作用下产生拉断或疲劳断裂，确保焊线的焊接质量。 | ||
| 搜索关键词： | 劈刀 结构 | ||
【主权项】：
一种劈刀结构，其特征在于，包括劈刀本体，所述劈刀本体内设置有中心轴线与所述劈刀本体的中心轴线重合、且靠近所述劈刀本体端部的锥形壁，与所述锥形壁同轴设置的内腔壁，及连接所述锥形壁与所述内腔壁的第一弧形过渡壁；所述锥形壁、所述内腔壁和所述第一弧形过渡壁共同围成供焊线通过的过线通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
