[发明专利]管式PERC单面太阳能电池及其制备方法和专用设备有效
申请号: | 201710353393.8 | 申请日: | 2017-05-18 |
公开(公告)号: | CN107256894B | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 方结彬;林纲正;赖俊文;何乃林;殷文杰;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱旭科技股份有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/048;H01L31/049;H01L31/18 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种管式PERC单面太阳能电池,包括背银主栅、全铝背电场、背面复合膜、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正银电极;所述背面复合膜包括三氧化二铝膜、二氧化硅膜、氮氧化硅膜和氮化硅膜中的一种或多种,且采用管式PECVD设备在硅片背面沉积而成,所述管式PECVD设备设有硅烷、氨气、三甲基铝、笑气四条气体管路,所述管式PECVD设备装卸硅片的器具为石墨舟,石墨舟的卡点槽的深度为0.5‑1mm。本发明还公开了一种管式PERC单面太阳能电池的制备方法及专用设备。采用本发明,光电转换效率高,外观良率和EL良率高,解决划伤和绕镀的问题。 | ||
搜索关键词: | perc 单面 太阳能电池 及其 制备 方法 专用设备 | ||
【主权项】:
1.一种管式PERC单面太阳能电池,其特征在于,包括背银主栅、全铝背电场、背面复合膜、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正银电极;所述全铝背电场、背面复合膜、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正银电极从下至上依次层叠连接;所述背面复合膜包括三氧化二铝膜、二氧化硅膜、氮氧化硅膜和氮化硅膜中的一种或多种,且采用管式PECVD设备在硅片背面沉积而成,所述管式PECVD设备设有硅烷、氨气、三甲基铝、笑气四条气体管路,所述四条气体管路单独或组合作用,用于形成所述三氧化二铝膜、二氧化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜;所述管式PECVD设备装卸硅片的器具为石墨舟;所述背面复合膜再经过激光开槽后形成30‑500个平行设置的激光开槽区,每个激光开槽区内设置至少1组激光开槽单元,所述全铝背电场通过激光开槽区与P型硅相连;所述石墨舟的卡点槽的深度为0.6‑0.8mm,卡点底座的直径为6‑15mm,卡点帽的斜面角度为35‑45度,卡点帽的厚度为1‑1.3mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的