[发明专利]集成电路中的接触件填充有效
申请号: | 201710351372.2 | 申请日: | 2017-05-18 |
公开(公告)号: | CN107452674B | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 艾瑞·阿尔特金;R·曼古;C·D·德兰;都米葛·A·费瑞尔 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及集成电路中的接触件填充,公开了一种于一集成电路中形成一电接触件以及一集成电路。于一实施例中,该集成电路包括一基板、一绝缘层、以及一金属层。通过该绝缘层形成的一开口以暴露该基板的一主动区域。该金属层于该开口的一顶端形成一尖部,使该开口的此端变窄。于实施例中,该方法包括沉积一导电层于该开口中以形成一衬垫,施加一填充材料于该开口内以保护该衬垫的一部分,移除该尖部以加宽该开口的该顶部,且该填充材料保护由这种材料所覆盖的该衬垫的该部分,从该开口移除该填充材料,重衬该开口,以及用一导电材料填充该开口以形成通过该绝缘层的一接触件。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 中的 接触 填充 | ||
【主权项】:
一种于一集成电路中形成一电接触件的方法,该集成电路包括一基板、位于该基板上的一绝缘层、以及位于该绝缘层上的一金属层,其中,该基板具有一有源区域,通过该绝缘层形成的一开口以暴露该基板的该有源区域,该开口具有邻接该有源区域的一底端以及与该有源区域隔开有该绝缘层的一厚度的一顶端,以及该金属层于该开口的该顶端形成一尖部,导致于该顶端处的该开口变窄,该方法包括:沉积一初始导电层于该绝缘层的该开口中以形成紧靠该绝缘层的一侧壁表面以及紧靠该有源区域的一衬垫;施加一填充材料至该开口内以保护低于该尖部的一水平的该衬垫的一部分;移除该尖部以加宽该开口,且该填充材料保护其所覆盖的该衬垫的该部分;自该开口移除该填充材料以暴露该衬垫的该部分;用一另一导电层重衬该绝缘层内的该开口;以及用一导电材料填充该绝缘层的该开口以形成延伸通过该绝缘层的一电性导电接触件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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