[发明专利]集成电路中的接触件填充

权利要求书

1.一种于一集成电路中形成一电接触件的方法，该集成电路包括一基板、位于该基板上的一绝缘层、以及位于该绝缘层上的一金属层，其中，该基板具有一有源区域，通过该绝缘层形成的一开口以暴露该基板的该有源区域，该开口具有邻接该有源区域的一底端以及与该有源区域隔开有该绝缘层的一厚度的一顶端，以及该金属层于该开口的该顶端形成一尖部，导致于该顶端处的该开口变窄，该方法包括：

沉积一初始导电层于该绝缘层的该开口中以形成紧靠该绝缘层的一侧壁表面以及紧靠该有源区域的一衬垫；

施加一填充材料至该开口内以保护低于该尖部的一水平的该衬垫的一部分；

移除该尖部以加宽该开口，且该填充材料保护其所覆盖的该衬垫的该部分；

自该开口移除该填充材料以暴露该衬垫的该部分；

用一另一导电层重衬该绝缘层内的该开口；以及

用一导电材料填充该绝缘层的该开口以形成延伸通过该绝缘层的一电性导电接触件。

2.如权利要求1所述的方法，其特征为，施加该填充材料至该开口内以保护该衬垫的该部分包括：

填充该尖部的该水平的上方的该填充材料至该开口；以及

通过蚀刻以凹陷该填充材料至低于该尖部的该水平的一水平。

3.如权利要求1所述的方法，其特征为：

施加该填充材料至该开口内以保护该衬垫的该部分包括填充一有机底层填充至该开口，其中，该有机底层填充是该填充材料；且其中，

自该开口中移除该填充材料以暴露该衬垫的该部分包括进行一有机底层灰化以移除该有机底层填充的一部分。

4.如权利要求1所述的方法，其特征为：

沉积该初始导电层至该绝缘层的该开口中包括沉积该初始导电层至该开口中以于该绝缘层中的该开口的该底端处的该基板的该有源区域上的一金属接触元件上形成一接触区域。

5.如权利要求1所述的方法，其特征为，移除该尖部以使该开口变宽，且该填充材料保护其所覆盖的该衬垫的该部分包括移除该绝缘层上的该金属层以移除该尖部。

6.如权利要求5所述的方法，其特征为，

沉积该初始导电层至该绝缘层的该开口中以形成紧靠该绝缘层的一侧壁表面的该衬垫包括形成该金属层上方的该初始导电层的一部分；且其中，

移除该绝缘层上的该金属层包括移除该金属层上方的该初始导电层的该部分。

7.如权利要求6所述的方法，其特征为，用该导电材料填充该绝缘层中的该开口包括沉积该绝缘层的一顶表面上方的该导电材料的一部分。

8.如权利要求7所述的方法，其特征为，该方法还包括移除该绝缘层的该顶表面上方的该导电材料的该部分。

9.如权利要求5所述的方法，其特征为，移除该绝缘层上的该金属层包括使用一蚀刻工艺以移除该绝缘层上的包括该尖部的该金属层。

10.如权利要求1所述的方法，其特征为：

该初始导电层为Ti与TiN的双层；

该另一导电层为Ti与TiN的双层；以及

该导电材料为钨。