[发明专利]在读操作时纠正DRAM中存储阵列的错误的方法以及DRAM在审
| 申请号： | 201710350971.2 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107195329A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G06F11/10 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司11285 | 代理人： | 郑建晖,钟守期 |
| 地址： | 710075 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在读操作时纠正DRAM中存储阵列的错误的方法，其中所述存储阵列包括数据阵列和ECC阵列，所述方法包括从所述存储阵列中读取数据；当该数据中含有错误数据位时，通过DRAM中的ECC解码和纠正模块对所述错误数据位进行纠正；仅仅将经纠正的错误数据位以及其位置寄存在一个寄存器中；该寄存器控制DRAM中的多个写驱动，以仅仅将经纠正的错误数据位写回到所述存储阵列。本发明还涉及一种DRAM。 | ||
| 搜索关键词： | 在读 操作 纠正 dram 存储 阵列 错误 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种在读操作时纠正DRAM中存储阵列的错误的方法，其中所述存储阵列包括数据阵列和ECC阵列，所述方法包括：从所述存储阵列中读取数据；当该数据中含有错误数据位时，通过DRAM中的ECC解码和纠正模块对所述错误数据位进行纠正；仅仅将经纠正的错误数据位以及其位置寄存在一个寄存器中；该寄存器控制DRAM中的多个写驱动，以仅仅将经纠正的错误数据位写回到所述存储阵列。
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