[发明专利]一种micro‑LED的制备方法在审
| 申请号： | 201710349492.9 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107195734A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 田朋飞;刘冉;郑立荣 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人： | 陆飞,陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体光电子技术领域，具体公开一种高效率micro‑LED的制备方法。本发明使用氮化镓（GaN）基LED外延片制备高效率低功耗micro‑LED芯片，外延片衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或同质氮化镓衬底。制备步骤包括刻蚀micro‑LED台面、沉积和刻蚀绝缘层、沉积n型和p型电极、退火形成欧姆接触、沉积互连电极、衬底剥离、衬底转移和表面粗化。所制备的micro‑LED的尺寸范围从1微米到100微米，并形成密集阵列，适用于微显示、光通信、生物医学、高分辨显微镜成像和荧光寿命测试等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高效率micro‑LED的制备方法，其特征在于，具体步骤为：（1）在氮化镓（GaN）基LED外延片上刻蚀micro‑LED台面阵列；（2）沉积p型电极，退火形成p型欧姆接触；（3）沉积绝缘层，并在将要制备电极的位置刻蚀开孔；（4）沉积n型电极，退火形成n型欧姆接触；（5）沉积n型和p型互连电极；（6）衬底剥离、衬底转移和表面粗化。
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