[发明专利]用于DRAM的ECC编码方法以及DRAM在审
| 申请号： | 201710349017.1 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107039087A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G06F11/10 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司11285 | 代理人： | 郑建晖,钟守期 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种对DRAM进行ECC编码的方法和一种动态随机存取存储器DRAM。所述方法包括在对DRAM进行刷新的同时，根据标志位是否为初始值来判定是否对数据进行编码。所述ECC编码模块仅在所述标志位设定和检测模块生成一个使能信号的情况下对数据进行编码。所述方法的优点在于可以保证用于ECC编码的有效数据的长度符合ECC编码的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 dram ecc 编码 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种对DRAM进行ECC编码的方法，其中，该DRAM包括存储阵列，所述方法包括：在对DRAM进行刷新的同时，标志位设定和检测模块检测标志位阵列中的标志位是否为初始值，其中所述标志位阵列位于所述存储阵列中，所述标志位设定和检测模块位于所述DRAM中，并且其中所述标志位与所述存储阵列中的数据阵列的每一数据长度为N的数据一一对应；若所述标志位设定和检测模块检测到标志位为初始值，指示与该标志位对应的N位数据未被ECC编码，则所述标志位设定和检测模块生成一个使能信号，该使能信号使得所述DRAM中的ECC编码模块对这N位数据进行ECC编码，产生相应的监督位，并且所述标志位设定和检测模块将该标志位设定为非初始值；以及若所述标志位设定和检测模块检测到标志位为非初始值，指示与该标志位对应的N位数据已被ECC编码，则所述标志位设定和检测模块不执行操作；其中所述ECC编码模块仅在所述标志位设定和检测模块生成一个使能信号的情况下对数据进行编码。
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