[发明专利]一种光侦测薄膜、器件、显示装置、光敏二极管的制备方法

摘要

本发明提供了一种光侦测薄膜、器件、显示装置、光敏二极管的制备方法，光侦测薄膜包括光侦测二极管区域，所述光侦测二极管区域包括光敏二极管，每一光敏二极管电性连接至其对应的该薄膜晶体管，所述光侦测二极管区域的每一光敏二极管是由双结或双结以上p型/i型/n型结构串接堆叠形成。光电二极管第一层p型/i型/n型材料为非晶硅结构，第二p型/i型/n型材料或第二层以上的p型/i型/n型材料可以为微晶硅结构、或是掺有可扩展光敏波长范围之非结晶化合物材料。相较于采用只包含一层p型/i型/n型结构的光侦测薄膜的器件，本发明可以有效提高器件的光电转换量子效率以及拓展光侦测的波长范围。

主权项

1.一种光侦测薄膜，所述光侦测薄膜包括光侦测二极管区域，所述光侦测二极管区域包括光敏二极管，其特征在于，所述光敏二极管包括第一光敏薄膜层和第二光敏薄膜层；所述第一光敏薄膜层包括第一p型半导体层、第一i型半导体层、第一n型半导体层，所述第一p型半导体层、第一i型半导体层、第一n型半导体层从上至下依次堆叠设置；所述第二光敏薄膜层包括第二p型半导体层、第二i型半导体层、第二n型半导体层；所述第二p型半导体层、第二i型半导体层、第二n型半导体层从上至下依次堆叠设置；所述第一光敏薄膜层和第二光敏薄膜层上下堆叠设置，所述第一n型半导体层设置于第二p型半导体层的上方；所述第一i型半导体层为非晶硅结构，所述第二i型半导体层为微晶硅结构或非结晶硅化锗结构。