[发明专利]一种光侦测薄膜、器件、显示装置、光敏二极管的制备方法

权利要求书

1.一种光侦测显示装置，其特征在于，所述显示装置包括显示单元，所述显示单元上设置有光侦测感应区，所述光侦测感应区下方设置有光侦测器件或者光侦测器件与显示屏的有源阵列薄膜晶体管层集成在一起；

所述光侦测器件包括多个像素侦测区，每一像素侦测区对应设置有由一个以上薄膜电晶管所组成一组扫描驱动与传输数据的像素薄膜电路、以及一光侦测薄膜；所述光侦测器件用于实现光侦测功能；

所述光侦测感应区包括至少两个光侦测感应子区域，每一光侦测感应子区域的下方对应设置一光侦测器件；所述显示装置还包括光侦测器件电路，所述光侦测器件控制电路用于在接收启动信号时，控制至少两个光侦测感应子区域中的其中一个光侦测器件开启，或用于在接收到关闭信号时，控制至少两个光侦测感应子区域的另一个光侦测器件关闭。

2.如权利要求1所述的光侦测显示装置，其特征在于，

所述光侦测薄膜包括光侦测二极管区域，所述光侦测二极管区域包括光敏二极管，其特征在于，所述光敏二极管包括第一光敏薄膜层和第二光敏薄膜层；所述第一光敏薄膜层包括第一p型半导体层、第一i型半导体层、第一n型半导体层，所述第一p型半导体层、第一i型半导体层、第一n型半导体层从上至下依次堆叠设置；所述第二光敏薄膜层包括第二p型半导体层、第二i型半导体层、第二n型半导体层；所述第二p型半导体层、第二i型半导体层、第二n型半导体层从上至下依次堆叠设置；所述第一光敏薄膜层和第二光敏薄膜层上下堆叠设置，所述第一n型半导体层设置于第二p型半导体层的上方；所述第一i型半导体层为非晶硅结构，所述第二i型半导体层为微晶硅结构或非结晶硅化锗结构。

3.如权利要求2所述的光侦测显示装置，其特征在于，所述非晶硅结构为硅烷与氢气通过化学气相沉积成膜的半导体层，非晶硅结构的结晶度小于40%，且其禁带宽度1.7 eV～1.8eV。

4.如权利要求2所述的光侦测显示装置，其特征在于，所述微晶硅结构为硅烷与氢气通过化学气相沉积成膜的半导体层，微晶硅的结构的结晶度大于40%，且其禁带宽度小于1.7eV。

5.如权利要求2所述的光侦测显示装置，其特征在于，所述非结晶硅化锗结构为硅烷、氢气与锗烷通过化学气相沉积成膜的非结晶半导体层，且其禁带宽度小于1.7 eV。

6.如权利要求2所述的光侦测显示装置，其特征在于，所述第一p型半导体层的上端面设置有第一光学器件，所述第一光学器件用于降低光线在第一p型半导体层的上端面的反射率、或是减小光线在第一p型半导体层的折射角度以增加光入射量。

7.如权利要求6所述的光侦测显示装置，其特征在于，所述第一光学器件包括折射率呈周期性变化的光子晶体结构或微透镜阵列结构、或是折射率呈非周期性变化的漫散射结构，且所述第一光学器件的折射率小于第一p型半导体层的折射率。

8.如权利要求2所述的光侦测显示装置，其特征在于，所述第一n型半导体层的下端面或第二n型半导体层的下端面还设置有第二光学器件，所述第二光学器件用于提高光线在第一n型半导体层的上端面或第二n型半导体层的上端面的反射率、或是用于提高光线在第一n型半导体层的下端面以及第二n型半导体层的上端面之间的多重反射率。

9.如权利要求8所述的光侦测显示装置，其特征在于，所述第二光学器件包括折射率呈周期性变化的光子晶体结构、或是折射率呈非周期性变化的漫散射结构，且所述第二光学器件之材料折射率皆小于第一n型半导体层或第二n型半导体层的折射率。

10.如权利要求6至9项中任一项所述的光侦测显示装置，其特征在于，所述第一光学器件或第二光学器件是采用化学汽相沉积或溅射镀膜方式将氧化物及其衍生化合物或氮化物及其衍生化合物制备成膜。