[发明专利]用于使用FEOL虚拟填充层的晶粒内重叠控制的方法有效
| 申请号： | 201710339605.7 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN107452640B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | P·莫尔;M·施密特;C·哈蒂格;M·鲁姆;S·蒂尔巴赫;S·龙根;D·费希尔;A·许林;G·于贝赖特尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于使用FEOL虚拟填充层的晶粒内重叠控制的方法，揭示用于晶粒内重叠标线片测量的方法及所得装置。具体实施例包括：在一衬底上的一第一层中提供平行的多个结构；确定在该第一层上面的一第二层中没有主动集成电路元件的多个测量部位；形成在该多个测量部位中且平行于该多个结构和暴露该多个结构的区段的多个重叠沟槽，其中各重叠沟槽在一结构上方及在该结构与毗邻结构之间的间隙上方对齐；确定一重叠沟槽的一沟槽重心；确定在该重叠沟槽中暴露的一结构的一结构重心；以及基于该沟槽重心与该结构重心之间的差额，确定一重叠参数。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 feol 虚拟 填充 晶粒 重叠 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包含：在一衬底上的一第一层中提供平行的多个结构；确定在该第一层上面的一第二层中没有主动集成电路元件的多个测量部位；形成在该多个测量部位中且平行于该多个结构和暴露该多个结构的区段的多个重叠沟槽，其中，各重叠沟槽在一结构上方及在该结构与毗邻结构之间的间隙上方对齐；确定一重叠沟槽的一沟槽重心；确定在该重叠沟槽中暴露的一结构的一结构重心；以及基于该沟槽重心与该结构重心之间的差额，确定一重叠参数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
