[发明专利]模拟输入/输出单元的版图设计方法有效
申请号: | 201710338586.6 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN108878415B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 索超 | 申请(专利权)人: | 展讯通信(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人: | 赵永刚 |
地址: | 201203 上海市浦东新区浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种模拟输入/输出单元的版图设计方法,包括:纵向排列P型二极管组、第一N型二极管组及第二N型二极管组,各二极管组中的二极管水平布局;在最顶层的金属层对信号线进行布线并打孔,连接各二极管组中二极管的一极;在最底层的金属层对模拟电源线、模拟地线及数字地线进行布线并打孔,分别连接对应二极管组中二极管的另一极。本发明能够降低模拟输入/输出单元中的信号线上的寄生电容,改善芯片性能。 | ||
搜索关键词: | 模拟 输入 输出 单元 版图 设计 方法 | ||
【主权项】:
1.一种模拟输入/输出单元的版图设计方法,所述模拟输入/输出单元包括:P型二极管组、第一N型二极管组及第二N型二极管组,其中,所述P型二极管组包括并联的多个P型二极管,所述多个P型二极管的正极与信号线连接,负极与模拟电源线连接;所述第一N型二极管组包括并联的多个N型二极管,所述多个N型二极管的正极与模拟地线连接,负极与所述信号线连接;所述第二N型二极管组包括并联的多个N型二极管,所述多个N型二极管的正极与数字地线连接,负极与所述信号线连接,其特征在于,包括:纵向排列所述P型二极管组、第一N型二极管组及第二N型二极管组,所述P型二极管组中的多个P型二极管水平布局且负极相互连接,所述第一N型二极管组中的多个N型二极管水平布局且正极相互连接,所述第二N型二极管组中的多个N型二极管水平布局且正极相互连接;在最顶层的金属层对信号线进行布线,所述信号线分别与所述P型二极管组中的多个P型二极管的正极、所述第一N型二极管组中的多个N型二极管的负极以及所述第二N型二极管组中的多个N型二极管的负极存在交叠区域,在各交叠区域打孔;在最底层的金属层对模拟电源线进行布线,所述模拟电源线与所述P型二极管组中的多个P型二极管的负极存在交叠区域,在所述交叠区域打孔;在最底层的金属层对模拟地线进行布线,所述模拟地线与所述第一N型二极管组中的多个N型二极管的正极存在交叠区域,在所述交叠区域打孔;在最底层的金属层对数字地线进行布线,所述数字地线与所述第二N型二极管组中的多个N型二极管的正极存在交叠区域,在所述交叠区域打孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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