[发明专利]一种交叉开关结构阻变式存储器性能优化方法及系统有效
| 申请号： | 201710337957.9 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN107195321B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 冯丹;童薇;刘景宁;张扬;李铮;李艺林 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 廖盈春;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种交叉开关结构阻变式存储器性能优化方法，属于计算机存储器技术领域。本发明方法针对交叉开关结构的阻变式存储器，在存储体内部的每个阵列的位线两端都设计写驱动，上端的写驱动使能阵列上半部分的ReRAM单元，而下端的写驱动使能阵列下半部分的ReRAM单元，同时根据阵列内部不同行延迟不同的特性，将阵列进行快慢区域划分，将热数据映射到快区域，将冷数据映射到慢区域，快区域中确保写入的二进制“0”最少；在慢区域内确保写入的二进制“0”最多。本发明还实现了一种交叉开关结构阻变式存储器性能优化系统。本发明技术方案最大化地降低了ReRAM的访问延迟，提升了ReRAM阵列的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 交叉 开关 结构 阻变式 存储器 性能 优化 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种交叉开关结构阻变式存储器性能优化方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)在存储体内部的每个阵列的位线两端都设计写驱动，上端的写驱动使能阵列上半部分的ReRAM单元，而下端的写驱动使能阵列下半部分的ReRAM单元；(2)根据阵列内部不同行延迟不同的特性，将阵列进行快慢区域划分，同时对内存请求做冷热数据识别，将热数据的内存请求重映射到快区域，将冷数据的内存请求重映射到慢区域；(3)在快区域内写新数据，写入新数据或新数据的翻转数据，确保在快区域内写入数据时写入的二进制“0”最少；(4)在慢区域内写新数据，写入新数据或新数据的翻转数据，确保在慢区域内写入数据时写入的二进制“0”最多。
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