[发明专利]导电基底负载双金属锗酸盐纳米片的储能材料制备方法有效
| 申请号： | 201710335097.5 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107195956B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 高国新;向阳;何适;吴虎;董碧桃;丁书江 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01M10/0525 | 分类号： | H01M10/0525;H01M4/58;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 弋才富 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种导电基底上负载双金属锗酸盐纳米片复合储能材料的制备方法，先通过水热反应的方法在导电基底表面生长直立的双金属锗酸盐纳米片，然后在氮气中煅烧后即可获得导电表面生长直立的双金属锗酸盐纳米片的复合材料；本发明的特点是采用简单的化学合成手段，制备出具有高比表面积、导电性好、容量和稳定性均优于传统材料的导电基底上负载双金属锗酸盐纳米片复合储能材料。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 基底 负载 双金属 锗酸盐 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.导电基底负载双金属锗酸盐纳米片的储能材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步：称取0.5～4mmol的含金属离子的盐，1mmol的氧化锗，0.5～5mmol的十六烷基三甲基溴化铵，加入到20～100mL去离子水和5～50mL乙二醇组成的混合溶剂中，超声分散5～25分钟；第二步：将步骤一中分散好的液体转移到容积适宜的高压反应釜中，并在釜中加入能够容纳的任意形状大小的导电基底，于120‑180℃下反应1‑24小时；第三步：将步骤二所得产物在惰性气氛炉中200～450℃煅烧0.5～4小时，升温速率控制在1～5℃min‑1；所得到的产物就是导电基底负载双金属锗酸盐纳米片复合结构材料。
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