[发明专利]导电基底负载双金属锗酸盐纳米片的储能材料制备方法

权利要求书

1.导电基底负载双金属锗酸盐纳米片的储能材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：称取0.5～4mmol的含金属离子的盐，1mmol的氧化锗，0.5～5mmol的十六烷基三甲基溴化铵，加入到20～100mL去离子水和5～50mL乙二醇组成的混合溶剂中，超声分散5～25分钟；

第二步：将步骤一中分散好的液体转移到容积适宜的高压反应釜中，并在釜中加入能够容纳的任意形状大小的导电基底，于120-180℃下反应1-24小时；

第三步：将步骤二所得产物在惰性气氛炉中200～450℃煅烧0.5～4小时，升温速率控制在1～5℃min^-1；所得到的产物就是导电基底负载双金属锗酸盐纳米片复合结构材料。

2.根据权利要求1所述的导电基底负载双金属锗酸盐纳米片的储能材料制备方法，其特征在于，步骤一中所述的含金属离子盐中所含的金属离子包括锌、镍、钴、铁、锰、钙、锶或钡；含金属离子的盐的种类包括硫酸盐、醋酸盐或氯化物。

3.根据权利要求1所述的导电基底负载双金属锗酸盐纳米片的储能材料制备方法，其特征在于，步骤二中所述导电基底包括泡沫镍、泡沫铜、钢片、钛片、碳布或碳纸。

4.根据权利要求1所述的导电基底负载双金属锗酸盐纳米片的储能材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：称取2mmol的无水氯化锌，1mmol的氧化锗，1mmol的十六烷基三甲基溴化铵，加入到30mL去离子水和10mL乙二醇组成的混合溶剂中，超声分散10分钟；

第二步：将步骤一中分散好的液体转移到容积为40mL的高压反应釜中，并在釜中加入裁剪好的2×5cm的矩形泡沫镍，于170℃下反应6小时；

第三步：将步骤二所得产物在惰性气氛炉中450℃煅烧2小时，升温速率控制在1℃min^-1；所得到的产物就是泡沫镍负载锗酸锌纳米片复合材料。