[发明专利]一种双栅电极金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710326498.4 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107104151A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 王大鹏;赵文静;刘生忠 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 齐书田 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双栅电极金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，包括衬底、依次层叠设置在衬底上的低栅电极、底栅绝缘层、金属氧化物半导体层、含离子注入元素的顶栅绝缘层，以及设置在顶栅绝缘层上的源极、漏极和顶栅电极，且源极和漏极分别与金属氧化物半导体层连接，所述离子注入元素为氟元素、氮元素和氢元素中的至少一种。本发明工艺简单、均匀性好、重复性好且稳定性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双栅电极金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底(1)、依次层叠设置在衬底(1)上的低栅电极(2)、底栅绝缘层(3)、金属氧化物半导体层(4)、含离子注入元素的顶栅绝缘层(5)，以及设置在顶栅绝缘层(5)上的源极(6)、漏极(7)和顶栅电极(8)，且源极(6)和漏极(7)分别与金属氧化物半导体层(4)连接，所述离子注入元素为氟元素、氮元素和氢元素中的至少一种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西师范大学，未经陕西师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710326498.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：智能金融机器人
- 下一篇：用于操作规则图表的方法
- 同类专利
- 专利分类
