[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201710325604.7 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN107452678B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 广泽俊一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种晶片的加工方法,能够对晶片进行分割以使得不在器件芯片的角产生亏缺。将对于晶片(W)具有透过性的波长的激光束从晶片的背面(W2)定位在晶片的内部而沿着第1间隔道(L1)和第2间隔道(L2)进行照射从而在晶片的内部形成改质层(R)。在改质层的形成之后,通过从晶片的背面进行磨削的磨削动作而以改质层为起点将晶片沿着第1间隔道和第2间隔道分割成器件芯片(DC)。在改质层的形成中,在将第1间隔道定位在X轴方向上而照射激光束时,按照相邻的每个器件(D)在第1间隔道内沿Y轴方向错开规定的间隔而形成改质层。由此,相邻的器件芯片的角彼此在分割时不会在对角线上摩擦。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的加工方法,该晶片在晶片正面上具有由形成于一个方向上的多条第1间隔道和形成于与该第1间隔道垂直的方向上的多条第2间隔道划分的多个器件,该晶片的加工方法利用激光加工装置沿着该第1间隔道和该第2间隔道将该晶片分割成器件芯片,该激光加工装置具有:保持工作台,其对该晶片进行保持;激光束照射构件,其对保持在该保持工作台上的晶片照射激光束;加工进给构件,其对该保持工作台和该激光束照射构件相对地在X轴方向上进行加工进给;分度进给构件,其对该保持工作台和该激光束照射构件相对地与该间隔道的间隔对应地在Y轴方向上进行分度进给;以及控制构件,其对各构成要素进行控制,该晶片的加工方法的特征在于,具有如下的步骤:保持步骤,将正面侧粘贴有保护带的晶片保持在保持工作台上;改质层形成步骤,在实施了该保持步骤之后,将对于晶片具有透过性的波长的激光束从晶片的背面定位在晶片的内部而沿着该第1间隔道和该第2间隔道进行照射从而在晶片的内部形成改质层;以及分割步骤,在实施了该改质层形成步骤之后,通过磨削构件从该晶片的背面进行磨削而使该晶片薄化至完工厚度,并且通过磨削动作以所述改质层为起点沿着该第1间隔道和该第2间隔道对晶片进行分割,在该改质层形成步骤中,至少在将该第1间隔道定位在X轴方向上而照射激光束时,按照相邻的每个器件在该第1间隔道内在Y轴方向上错开规定的间隔而形成改质层,以使得相邻的器件芯片的角彼此在分割时不会在对角线上摩擦。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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