[发明专利]树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极应用于电化学识别色氨酸对映体

摘要

本发明涉及树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极应用于电化学识别色氨酸对映体，包括以下步骤：树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备、色氨酸对映体的电化学识别、色氨酸对映体的识别重现性。本发明的有益效果：二氧化硅的刚性较强，从而在识别与再生的过程中，印迹空腔不容易发生变形和塌陷，且非离子表面活性剂C20聚氧乙烯醚含有大量的含氧官能团，因此C20聚氧乙烯醚可通过氢键作用诱导分子印迹二氧化硅在氧化铟锡电极表面生长，这有利于分子印迹二氧化硅电化学识别氨基酸对映体。

主权项

1.树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极应用于电化学识别色氨酸对映体，其特征在于：步骤如下：a、树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备：将5mM C20聚氧乙烯醚和2mM L‑色氨酸溶于体积比为2:1的乙醇和水混合溶液中，且将氧化铟锡电极浸入上述溶液中静置30min；然后移取50μL氨丙基三乙氧基硅烷、200μL四乙氧基硅烷和1mL3M HCl依次滴加进上述溶液中，反应3h之后，慢慢取出氧化铟锡电极，自然晾干，备用；将包埋有C20聚氧乙烯醚和L‑色氨酸的二氧化硅修饰氧化铟锡电极置于马弗炉中，500℃下煅烧2h可得树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极；b、色氨酸对映体的电化学识别：实验采用三电极体系，树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极为工作电极，铂片为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极；将其分别浸入含0.5mM L‑色氨酸和D‑色氨酸的pH为3～9的0.1M磷酸盐缓冲溶液中，施加0.1～0.5V的恒电位富集500～1500s，然后将树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极取出，溶液中剩余的色氨酸浓度可通过玻碳电极检测，具体步骤为：将玻碳电极浸入到上述的剩余溶液中，在0.3～1.0V的电位范围内进行差分脉冲伏安测试，记录色氨酸对映体的电流，然后通过比较色氨酸对映体电流的差别来判断分子印迹材料对于色氨酸对映体的识别效果；所有的差分脉冲伏安测试均进行三次。