[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201710323101.6 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107180898B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 叶大千;张东炎;吴超瑜;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带有空穴存储层结构的发光二极管；包括：第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，其特征在于：所述第二类型导体层中含有空穴存储层，所述空穴存储层形成极化电场，并且电场的方向指向有源层。在一些实施例中，空穴存储层位于P型层之内，并且其能带宽度呈台阶式变化，可以大幅度提升了P型层内空穴的浓度，能有效提升量子阱内的复合发光效率，提升器件的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.发光二极管，包括：第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，其特征在于：所述第二类型半导体层中含有空穴存储层，所述空穴存储层具有超晶格结构，包含垒层和阱层，单个垒层的厚度≤1nm，所述超晶格结构中由于垒层与阱层之间的极化性能形成反向极化电场，并且电场的方向指向有源层，所述超晶格结构的能带呈现台阶状，每级台阶中超晶格对数>2，达到空穴存储的效果。
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