[发明专利]一种GPP芯片制造的光刻工艺有效
| 申请号： | 201710321968.8 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107123591B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 孙逊运;孟祥龙;刘运;王安栋;于凯 | 申请（专利权）人： | 潍坊星泰克微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王焕 |
| 地址： | 261205 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种GPP芯片制造的光刻工艺，包括如下步骤：（1）涂胶：在清洁干燥的硅片基材表面涂布不含二甲苯溶剂的负性光刻胶；（2）前烘，以去除胶膜中的溶剂；（3）曝光；（4）显影：采用碱性水溶液进行恒温显影；（5）定影：采用去离子水对基材进行冲洗；（6）后烘：去除残存溶剂，使胶膜固化致密；（7）腐蚀：以酸混合液腐蚀基材；（8）去胶。重复光刻工艺以制作复杂图形。本发明工艺避免了使用含有毒有害二甲苯的环化橡胶系负性光刻胶，以碱性水溶液和去离子水取代了有害的易挥发有机显影液和定影液，使光刻工艺过程变的安全健康环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gpp 芯片 制造 光刻 工艺 | ||
【主权项】：
一种GPP芯片制造的光刻工艺，包括如下步骤：（1）涂胶：在清洁干燥的硅片基材表面涂布不含二甲苯溶剂的负性光刻胶；（2）前烘：在一定温度下烘烤涂有光刻胶的基材，以去除胶膜中的溶剂；（3）曝光：在透过掩膜的紫外光照射下，光刻胶发生反应；（4）显影：采用碱性水溶液作为显影液进行恒温显影，形成光刻图形；（5）定影：采用去离子水对基材进行冲洗，去除残留在胶膜表面的显影液与杂质；（6）后烘：在一定温度下烘烤基材，以去除残存溶剂，使胶膜固化致密；（7）腐蚀，用强酸混合腐蚀液对含有光刻图形的基片进行腐蚀；（8）去胶，用清洗液将光刻胶去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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