[发明专利]一种巨自旋霍尔效应合金薄膜材料及其制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 201710321593.5 申请日: 2017-05-09
公开(公告)号: CN107119261B 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 金立川;张怀武;李明明;饶毅恒;唐晓莉;钟智勇;杨青慧;李颉;廖宇龙 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18;H01L43/10;H01L43/06
代理公司: 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 代理人: 孟凡臣
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种巨自旋霍尔效应合金薄膜材料,包括铁磁性基片,所述铁磁性基片采用钇铁石榴石材质基片或镍铁材质基片;以及铋铂合金薄膜,所述铋铂合金薄膜使用铂金靶材上贴高纯铋金属薄片或者铋铂BixPt100‑x靶材的方式控制铋的含量在2%‑20%之间、采用真空磁控溅射生长于所述铁磁性基片表面而得到的纳米级厚度的铋铂合金薄膜。本发明同时涉及该合金薄膜材料的制备方法和用途。本发明自旋流的产生效率增加了,同时降低了材料成本。
搜索关键词: 合金薄膜材料 铁磁性基片 铂合金 自旋 薄膜 霍尔效应 靶材 制备 真空磁控溅射 钇铁石榴石 材料成本 方式控制 金属薄片 效率增加 高纯铋 纳米级 铂金 镍铁 生长
【主权项】:
1.一种巨自旋霍尔效应合金薄膜材料,其特征在于,该材料包括铁磁性基片,和利用物理气相沉积技术处理在所述铁磁性基片表面的纳米厚度的铋铂合金薄膜,所述铋铂合金薄膜的组分为BixPt100‑x,且x=2‑20。
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