[发明专利]碳纳米管阵列电学特性的原位测量装置有效
| 申请号： | 201710320451.7 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107402333B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王江涛;金翔;柳鹏;魏洋;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碳纳米管阵列电学特性的原位测量装置，包括一反应室、一基底、一第一电极、一连接线、一第二电极、一支撑结构、一测量表和若干导线；所述基底、第一电极、连接线、第二电极和支撑结构均设置于所述反应室的内部；所述测量表位于反应室的外部，且该测量表通过导线与所述第一电极和第二电极电连接；所述第一电极具有一空腔；所述支撑结构、第二电极和连接线相互配合，使基底悬空于所述空腔内。本发明还涉及一种碳纳米管阵列电学特性的原位测量方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 电学 特性 原位 测量 装置 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管阵列电学特性的原位测量装置，其特征在于，该原位测量装置包括一反应室、一基底、一第一电极、一连接线、一第二电极、一支撑结构、一测量表和若干导线；所述基底、第一电极、连接线、第二电极和支撑结构均设置于所述反应室的内部；所述测量表位于反应室的外部，且该测量表通过导线与所述第一电极和第二电极电连接；所述第一电极具有一空腔；所述支撑结构、第二电极和连接线相互配合，使基底悬空于所述空腔内。
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