[发明专利]用于工艺感知维度目标的先进工艺控制

摘要

本发明涉及用于工艺感知维度目标的先进工艺控制，揭示数种用于特定工艺的先进工艺控制(APC)的方法。在晶圆上进行特定工艺(例如，光刻或蚀刻工艺)以建立由特征组成的图案。测量目标特征的参数并且将该参数的数值使用于APC。不过，APC的进行是基于调整参数值，而不是直接基于实际参数值。具体言之，应用一偏移量(其是先前基于所有特征的参数值分布的平均值而确定者)于实际参数值以获取一调整参数值，这更适于代表图案中的大多数特征。进行此APC方法可最小化每次在相同晶圆的另一区域上或在不同晶圆上使用该特定工艺产生相同图案时每一个图案的维度变异。

主权项

1.一种用于工艺感知维度目标的先进工艺控制方法，该先进工艺控制方法包含：根据由数个工艺规格组成的初始集合在半导体晶圆上进行工艺，进行该工艺能形成有由数个特征组成的图案的图案化区域；测量目标特征在该图案中的参数以获取参数值，该目标特征是从在该图案中的所有所述特征选出；访问偏移数据库以获取该偏移数据库中与该目标特征关联的偏移量；应用该偏移量于该参数值以获取调整参数值；基于该调整参数值与用于所述特征的目标参数值之间的差额，调整该工艺规格的初始集合的所述工艺规格中的至少一者以产生工艺规格的调整集合；以及，根据该工艺规格的调整集合，在该半导体晶圆的不同区域上或者是在不同半导体晶圆上重复该工艺，以形成由该数个特征组成的该图案的第二图案化区域，其中，在该重复期间，该工艺规格的调整集合用以最小化在该第二图案化区域中由该数个特征组成的该图案中的特征的该目标参数值与实际参数值之间的变异，以及其中，该目标参数值为设计目的设定成使用该工艺达成正在形成的积体电路结构的最佳效能及使用该工艺避免正在形成的该积体电路结构失效的至少一者。