[发明专利]用于工艺感知维度目标的先进工艺控制

权利要求书

1.一种用于工艺感知维度目标的先进工艺控制方法，该先进工艺控制方法包含：

根据由数个工艺规格组成的初始集合在半导体晶圆上进行工艺，进行该工艺能形成有由数个特征组成的图案的图案化区域；

测量目标特征在该图案中的参数以获取参数值，该目标特征是从在该图案中的所有所述特征选出；

访问偏移数据库以获取该偏移数据库中与该目标特征关联的偏移量；

应用该偏移量于该参数值以获取调整参数值；

基于该调整参数值与用于所述特征的目标参数值之间的差额，调整该工艺规格的初始集合的所述工艺规格中的至少一者以产生工艺规格的调整集合；以及，

根据该工艺规格的调整集合，在该半导体晶圆的不同区域上或者是在不同半导体晶圆上重复该工艺，以形成由该数个特征组成的该图案的第二图案化区域，

其中，在该重复期间，该工艺规格的调整集合用以最小化在该第二图案化区域中由该数个特征组成的该图案中的特征的该目标参数值与实际参数值之间的变异，以及

其中，该目标参数值为设计目的设定成使用该工艺达成正在形成的积体电路结构的最佳效能及使用该工艺避免正在形成的该积体电路结构失效的至少一者。

2.如权利要求1所述的先进工艺控制方法，其中，该参数为一维度，该参数值为该维度的测量值，以及该目标参数值为该维度的设计规定值。

3.如权利要求1所述的先进工艺控制方法，还包含，在进行该工艺之前，开发该偏移数据库，其中开发该偏移数据库包含：

根据该工艺规格的初始集合，在测试晶圆上进行该工艺以便形成具有由特征组成的该图案的测试区域；

测量所述特征中的每一者在该测试区域中的该参数以获取所有所述特征的测试参数值；

基于所述测试参数值，确定参数值分布以及该分布的平均参数值；

确定该平均参数值与所述测试参数值中的每一者之间的偏移量；以及，

储存所述偏移量于该偏移数据库中。

4.如权利要求1所述的先进工艺控制方法，其中该工艺包含一光刻工艺。

5.如权利要求1所述的先进工艺控制方法，其中，该工艺包含蚀刻工艺。

6.一种用于工艺感知维度目标的先进工艺控制方法，该先进工艺控制方法包含：

使用特定标线片且根据由数个光刻规格组成的初始集合，在半导体晶圆上进行光刻工艺，进行该光刻工艺能从光阻层形成具有由数个特征组成的图案的掩模；

测量目标特征在该图案中的参数以获取参数值，该目标特征是从在该图案中的所有所述特征选出；

访问光刻工艺偏移数据库以获取该偏移数据库中与该目标特征关联的偏移量；

应用该偏移量于该参数值以获取调整参数值；

基于该调整参数值与用于所述特征的目标参数值之间的差额，调整该初始集合的所述光刻规格中的至少一者以产生光刻规格的调整集合；以及，

根据该光刻规格的调整集合，在该半导体晶圆的不同区域上或者是在不同半导体晶圆上重复该光刻工艺，以形成由该数个特征组成的该图案的第二掩模，

其中，在该重复期间，该光刻规格的调整集合用以最小化在该第二掩模中由该数个特征组成的该图案中的特征的该目标参数值与实际参数值之间的变异，以及

其中，该目标参数值为设计目的设定成使用该光刻工艺达成正在形成的积体电路结构的最佳效能及使用该光刻工艺避免正在形成的该积体电路结构失效的至少一者。

7.如权利要求6所述的先进工艺控制方法，其中，该参数为维度，该参数值为该维度的测量值，以及该目标参数值为该维度的设计规定值。

8.如权利要求6所述的先进工艺控制方法，其中，该参数为最小宽度，该参数值为宽度测量值，以及该目标参数值为该最小宽度的设计规定值。

9.如权利要求6所述的先进工艺控制方法，其中，所述光刻规格中的该至少一者包含曝光能量。