[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置以及阵列基板的制作方法有效
申请号: | 201710312403.3 | 申请日: | 2017-05-05 |
公开(公告)号: | CN107093584B | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 金慧俊;朱雪婧;曹兆铿 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12;G02F1/1362;G06F3/041 |
代理公司: | 11444 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王刚;龚敏<国际申请>=<国际公布>=< |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置以及阵列基板的制作方法。制作方法采用第一掩膜版制作栅极线与像素电极,采用第二掩膜版制作薄膜晶体管与触控信号线、采用第三掩膜版制作第一过孔与第二过孔,采用第四掩膜版制作公共电极层,且公共电极层包括第一连接结构和公共电极单元,公共电极单元包括第二连接结构,第一连接结构通过第一过孔与漏极、像素电极均接触;第二连接结构通过第二过孔与触控信号线接触。本申请通过四块掩膜版实现了阵列基板的制作,减少了掩膜版的数量,能够降低制造成本。 | ||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 以及 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:/n使用第一掩膜版在衬底基板的一侧形成栅极线和像素电极;/n在所述栅极线和所述像素电极远离所述衬底基板的外侧形成第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述栅极线和所述像素电极;/n使用第二掩膜版在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成有源层和源漏层,所述源漏层包括源极、漏极、数据信号线和触控信号线,所述源极和所述漏极均与所述有源层电连接;/n在所述有源层和所述源漏层远离所述衬底基板的外侧形成第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述有源层和所述源漏层;/n使用第三掩膜版形成第一过孔和第二过孔,所述第一过孔贯通所述第一绝缘层和所述第二绝缘层,所述第二过孔贯通所述第二绝缘层,且所述像素电极的至少一部分、所述漏极的至少一部分裸露于所述第二过孔,所述触控信号线的至少一部分裸露于所述第一过孔;/n使用第四掩膜版形成具有多个公共电极单元的公共电极层,所述公共电极层还包括第一连接结构,各所述公共电极单元包括第二连接结构,所述第一连接结构、所述第二连接结构相互绝缘,所述第一连接结构通过所述第一过孔与所述漏极、所述像素电极均接触;所述第二连接结构通过所述第二过孔与所述触控信号线接触;/n还包括:/n使用所述第四掩膜版使所述公共电极层形成多条纵横交错的横向刻缝和纵向刻缝,以形成多个所述公共电极单元;/n所述横向刻缝的延伸方向与所述触控信号线的延伸方向垂直,所述纵向刻缝的延伸方向与所述触控信号线的延伸方向平行;/n沿垂直于所述衬底基板的方向,所述横向刻缝在所述衬底基板的投影位于所述触控信号线延伸方向上两个相邻的所述像素电极之间;/n沿垂直于所述衬底基板的方向,所述触控信号线在所述衬底基板的投影位于所述栅极线延伸方向上两个相邻的所述像素电极之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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