[发明专利]在线改良晶圆表面平坦度的方法有效
申请号: | 201710312284.1 | 申请日: | 2017-05-05 |
公开(公告)号: | CN107195547B | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 王佩佩;李弘恺;金军;路新春;沈攀 | 申请(专利权)人: | 清华大学;天津华海清科机电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/321 | 分类号: | H01L21/321;H01L21/66;H01L21/768 |
代理公司: | 11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种在线改良晶圆表面平坦度的方法。其中方法应用于旋转型CMP设备上,CMP设备包括抛光头及其压力在线调节控制系统,抛光头包括多个压力分区,方法包括:确定晶圆表面材料层上的基准区;获取多个压力分区对应的晶圆表面分区的材料层厚度值;根据基准区的材料层厚度值与其余各分区的材料层厚度值,获取各压力分区新的压力值;根据各压力分区新的压力值,控制抛光头对晶圆表面进行材料去除。由此,通过改变抛光头各压力分区所施加的压力大小,可以实时调节晶圆表面相应分区的材料去除率,从而实现可控平坦化,进而实现在线改良晶圆表面平坦度的目的。 | ||
搜索关键词: | 在线 改良 表面 平坦 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在线改良晶圆表面平坦度的方法,所述方法应用于旋转型CMP设备上,其特征在于,所述CMP设备包括抛光头及其压力在线调节控制系统,所述抛光头包括多个压力分区,所述方法包括:/n确定晶圆表面材料层上的基准区;/n获取所述多个压力分区对应的晶圆表面分区的材料层厚度值;/n根据所述基准区的材料层厚度值与其余各分区的材料层厚度值,将所述其余各分区的材料层厚度值分别与所述基准区的材料层厚度值相差,得到所述其余各分区与所述基准区之间的厚度偏差;/n判断当前分区与所述基准区之间的厚度偏差是否大于第一阈值;/n如果所述当前分区与所述基准区之间的厚度偏差大于所述第一阈值,则计算所述各压力分区的当前压力值与预设的压力调节量之间的和值,并将所述和值作为所述当前分区对应的压力分区新的压力值;/n如果所述当前分区与所述基准区之间的厚度偏差小于或等于所述第一阈值,则进一步判断所述当前分区与所述基准区之间的厚度偏差是否大于或等于第二阈值,其中,所述第一阈值大于所述第二阈值;/n如果所述当前分区与所述基准区之间的厚度偏差大于或等于所述第二阈值,则将所述各压力分区的当前压力值作为所述当前分区对应的压力分区新的压力值;/n如果所述当前分区与所述基准区之间的厚度偏差小于所述第二阈值,则计算所述各压力分区的当前压力值与所述压力调节量之间的差值,并将所述差值作为所述当前分区对应的压力分区新的压力值;/n根据所述各压力分区新的压力值,控制所述抛光头对所述晶圆表面进行材料去除。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造