[发明专利]使用电感耦合高密度等离子体进行介电膜的致密化在审
| 申请号： | 201710305801.2 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107452671A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 詹森·达埃金·帕克;巴特·范·斯查文迪克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人： | 樊英如,张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及使用电感耦合高密度等离子体进行介电膜的致密化。一种用于致密化衬底上的介电膜的方法包括将包括介电膜的衬底布置在衬底处理室中的衬底支撑件上；向所述衬底处理室供应包括氦和氧的气体混合物；将所述衬底处理室中的压强控制为大于或等于预定压强的压强；将第一功率电平以第一频率提供给线圈以在所述衬底处理室中产生等离子体。所述线圈围绕所述衬底处理室的外表面布置。所述方法包括致密化所述介电膜持续预定时间。选择所述压强和所述第一功率电平以防止在致密化所述介电膜期间所述介电膜的溅射。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电感 耦合 高密度 等离子体 进行 介电膜 致密 | ||
【主权项】：
一种用于致密化衬底上的介电膜的方法，其包括：将包括介电膜的衬底布置在衬底处理室中的衬底支撑件上；向所述衬底处理室供应包括氦和氧的气体混合物；将所述衬底处理室中的压强控制为大于或等于预定压强的压强；以第一频率将第一功率电平提供给线圈以在所述衬底处理室中产生等离子体，其中所述线圈围绕所述衬底处理室的外表面的至少一部分布置；以及致密化所述介电膜持续预定时间，其中选择所述压强和所述第一功率电平以防止在致密化所述介电膜期间所述介电膜的溅射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
