[发明专利]使用电感耦合高密度等离子体进行介电膜的致密化

权利要求书

1.一种用于致密化衬底上的介电膜的方法，其包括：

将包括介电膜的衬底布置在衬底处理室中的衬底支撑件上；

向所述衬底处理室供应包括氦和氧的气体混合物；

将所述衬底处理室中的压强控制为大于或等于预定压强的压强；

以第一频率将第一功率电平提供给线圈以在所述衬底处理室中产生等离子体，其中所述线圈围绕所述衬底处理室的外表面的至少一部分布置；以及

致密化所述介电膜持续预定时间，

其中选择所述压强和所述第一功率电平以防止在致密化所述介电膜期间所述介电膜的溅射。

2.根据权利要求1所述的方法，其还包括在以所述第一频率提供所述第一功率电平的同时，以第二频率将第二功率电平提供给所述线圈。

3.根据权利要求2所述的方法，其还包括在以所述第一频率提供所述第一功率电平以及以所述第二频率提供所述第二功率电平的同时，以第三频率向所述衬底支撑件提供第三功率电平。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，选择所述预定压强、所述第一功率电平、所述第二功率电平和所述第三功率电平以防止在致密化所述介电膜期间所述介电膜的溅射。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定压强大于或等于40mTorr。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一功率电平大于或等于5000W，并且所述第一频率在从340kHz至375kHz的范围内。

7.根据权利要求3所述的方法，其中所述第三功率电平小于或等于2000W，并且所述第三频率为13.56MHz。

8.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二频率在420kHz至460KHz的范围内。

9.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一功率电平大于5000W，所述第三功率电平小于或等于2000W，并且所述预定压强大于或等于40mTorr。

10.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一功率电平介于6000W和8000W之间，所述第二功率电平介于3000W和5000W之间，并且所述第三功率电平小于2000W。