[发明专利]金属氧化物TFT器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710302060.2 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN107104150A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 翟玉浩 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属氧化物TFT器件及其制作方法。所述金属氧化物TFT器件的有源层(7)采用类似三明治的结构，包括下层铟镓锌氧化物薄膜(71)、与所述下层铟镓锌氧化物薄膜(71)相对设置的上层铟镓锌氧化物薄膜(73)、及夹设在所述下层铟镓锌氧化物薄膜(71)与上层铟镓锌氧化物薄膜(73)之间的中间导电层(75)，且所述中间导电层(75)的材料为高含铟金属氧化物、或高含锌金属氧化物，能够进一步提高电子迁移率，减少有源层(7)与栅极绝缘层(5)的界面缺陷，改善TFT器件的电性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 tft 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物TFT器件，其特征在于，包括基板(1)、设在所述基板(1)上的栅极(3)、覆盖所述栅极(3)与基板(1)的栅极绝缘层(5)、于所述栅极(3)上方设在所述栅极绝缘层(5)上的有源层(7)、及设在所述栅极绝缘层(5)上分别接触所述有源层(7)两侧的源极(91)与漏极(92)；所述有源层(7)包括下层铟镓锌氧化物薄膜(71)、与所述下层铟镓锌氧化物薄膜(71)相对设置的上层铟镓锌氧化物薄膜(73)、及夹设在所述下层铟镓锌氧化物薄膜(71)与上层铟镓锌氧化物薄膜(73)之间的中间导电层(75)；所述中间导电层(75)的材料为高含铟金属氧化物、或高含锌金属氧化物。
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