[发明专利]薄膜晶体管阵列面板

摘要

提供了一种薄膜晶体管阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板包括基底和被设置在基底的表面上的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括彼此被设置在同一层上的半导体、源电极和漏电极。半导体在源电极和漏电极之间。薄膜晶体管阵列面板进一步包括被设置在半导体和基底之间并且包括无机绝缘材料的缓冲层。缓冲层的第一边缘与半导体的邻近边缘基本平行，缓冲层的第二边缘与源电极的邻近边缘基本平行，并且缓冲层的第三边缘与漏电极的邻近边缘基本平行。

主权项

一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基底；被设置在所述基底的表面上并且包括彼此被设置在同一层上的半导体、源电极和漏电极的薄膜晶体管，其中所述半导体在所述源电极和所述漏电极之间；和被设置在所述半导体和所述基底之间并且包括无机绝缘材料的缓冲层，其中所述缓冲层的第一边缘与所述半导体的邻近边缘平行，所述缓冲层的第二边缘与所述源电极的邻近边缘平行，并且所述缓冲层的第三边缘与所述漏电极的邻近边缘平行。