[发明专利]等离子体产生装置和半导体设备在审
| 申请号： | 201710294124.9 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108811290A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 昌锡江 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;罗瑞芝 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体生产技术领域，具体涉及一种等离子体产生装置和半导体设备。该等离子体产生装置，用于产生圆周分布的等离子体，该所述等离子体产生装置包括微波产生源、微波传输匹配结构和谐振腔体，所述谐振腔体包括由内向外依次同轴嵌套设置的圆环结构的介质层和主体层，所述介质层在靠近所述主体层的一侧开设有至少两条狭缝天线，所述介质层的内部形成环形的谐振腔室。该等离子体产生装置，采用了环形的微波谐振腔结构，并通过狭缝天线形成环状均匀表面波等离子体，能获得均匀间隔分布的等离子体，而且在作为辅助等离子体源应用时，还能避免与射频等离子体源产生耦合，从而改进等离子体密度，消除射频耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体产生装置 等离子体 介质层 半导体设备 主体层 狭缝 半导体生产技术 表面波等离子体 射频等离子体源 辅助等离子体 均匀间隔分布 微波产生源 微波谐振腔 和谐振腔 匹配结构 射频耦合 天线形成 同轴嵌套 微波传输 谐振腔室 谐振腔体 由内向外 圆环结构 圆周分布 耦合 源应用 天线 改进 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体产生装置，用于产生圆周分布的等离子体，该所述等离子体产生装置包括微波产生源、微波传输匹配结构和谐振腔体，其特征在于，所述谐振腔体包括由内向外依次同轴嵌套设置的圆环结构的介质层和主体层，所述介质层在靠近所述主体层的一侧开设有至少两条狭缝天线，所述介质层的内部形成环形的谐振腔室。
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