[发明专利]一种基于背面碱抛工艺的PERC电池制备方法

摘要

本发明公开了一种基于背面碱抛工艺的PERC电池制备方法，包括以下步骤制绒；扩散；背面酸洗；背面抛光；去磷硅玻璃；背面ALD沉积氧化铝；正面PECVD沉积SiNx；背面PECVD沉积叠层钝化膜；背面局部激光开口；丝网印刷和烧结，其中，步骤3)中硅片常温经过背面酸洗机，酸槽中HF浓度3％～20％，步骤4)中背面抛光为槽式机内使用TMAH、抛光液以及水混合所配溶液对硅片背表面进行抛光，抛光后在HF溶液中去除PSG，TMAH浓度2％～5％，温度40～80℃。本发明的基于背面碱抛工艺的PERC电池制备方法，使用价格相对便宜的背面酸洗机以及槽式背抛机减少成本投入，且碱抛工艺的电池背面较常规酸抛平整，有利于钝化以及背面接触，制成的PERC电池效率较常规刻蚀工艺电池高0.1％左右，效果提升十分显著。

主权项

一种基于背面碱抛工艺的PERC电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)制绒；2)扩散；3)背面酸洗；4)背面抛光；5)去磷硅玻璃；6)背面ALD沉积氧化铝；7)正面PECVD沉积SiNx；8)背面PECVD沉积叠层钝化膜；9)背面局部激光开口；10)丝网印刷和烧结，其中，步骤3)中硅片常温经过背面酸洗机，酸槽中HF浓度3％～20％，步骤4)中背面抛光为槽式机内使用TMAH、抛光液以及水混合所配溶液对硅片背表面进行抛光，抛光后在HF溶液中去除PSG，TMAH浓度2％～5％，温度40～80℃。