[发明专利]一种“金字塔”样三维细胞聚集培养芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710291184.5 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108795752A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 秦建华;魏文博;刘海涛;王亚清 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C12M3/00 | 分类号： | C12M3/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 郑虹 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种“金字塔”样三维细胞聚集培养芯片及其制备方法。该方法利用软光刻的方法制备具有“金字塔”样的阵列模板，再用聚二甲基硅氧烷(PDMS)制备成具有反金字塔结构的凹陷阵列芯片。在接种细胞后，由于芯片内凹陷具有倾斜的侧壁，迫使细胞聚集在其底部，进而聚集成三维细胞团。本发明的芯片与一般的垂直曝光所得到的垂直侧边的凹陷阵列相比，侧边倾斜的凹陷阵列可以对其中存在的细胞产生来自底边和四个侧壁上挤压的力，使其中的细胞更易聚集成球，提高了实验的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 制备 凹陷阵列 细胞聚集 金字塔 三维 侧壁 聚二甲基硅氧烷 金字塔结构 垂直侧边 接种细胞 细胞产生 阵列模板 内凹陷 软光刻 上挤压 细胞团 侧边 成球 垂直 细胞 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种“金字塔”样三维细胞聚集培养芯片，其特征在于：该芯片为凹陷阵列结构的芯片，所述的凹陷为反金字塔结构，该芯片利用倾斜曝光的软光刻技术制备出具有“金字塔”样结构的模板，再利用该模板制备出聚二甲基硅氧烷芯片，在利用软光刻进行紫外曝光的时候，将曝光平台改为可以调节倾斜角度以及可以自由旋转的平台。
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