[发明专利]一种三维细胞聚集培养方法在审
| 申请号： | 201710290920.5 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108795870A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 秦建华;魏文博;王亚清;刘海涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C12N5/10 | 分类号： | C12N5/10;C12N5/09 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 郑虹 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三维细胞聚集培养方法，该方法采用具有倾斜侧壁的凹陷结构的PDMS芯片内，按照以下步骤进行：(1)将不同种类的细胞按照105‑106个/毫升的细胞浓度接种在带有凹陷结构的芯片上，(2)加入培养基继续培养12‑24小时后，细胞会聚集在凹陷结构底部形成细胞团，(3)通过芯片形成的细胞团可以继续在芯片上培养，或取出后再另行培养。在倾斜侧壁产生的机械力与重力的共同作用下，细胞聚集在凹陷结构的底部，自组装形成三维细胞球。该方法为细胞提供了一个具有物理机械力的三维环境，有利于多种细胞类型自组装形成三维聚集体。同时，该方法减少了细胞球与底部的接触面积，更有利于营养物质的充分交换，维持细胞球的活性和功能。 | ||
| 搜索关键词： | 凹陷结构 三维 细胞聚集 细胞球 细胞 倾斜侧壁 芯片 细胞团 自组装 物理机械 细胞类型 营养物质 培养基 机械力 聚集体 接种 取出 交换 | ||
【主权项】：
1.一种三维细胞聚集培养方法，其特征在于：采用具有倾斜侧壁的凹陷结构的PDMS芯片内，按照以下步骤进行：(1)将不同种类的细胞按照105‑106个/毫升的细胞浓度接种在带有凹陷结构的芯片上，(2)加入培养基继续培养12‑24小时后，细胞会聚集在凹陷结构底部形成细胞团，(3)通过芯片形成的细胞团可以继续在芯片上培养，或取出后再另行培养。
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