[发明专利]用于显示驱动器IC结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201710287909.3 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107611166B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 朴正泫;吴宝石;池熺奂 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;李德山 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，其包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管。第一晶体管包括：第一栅极绝缘体、第一源极区域和第一漏极区域；一对轻掺杂漏极(LDD)区域，其中的每一个均比所述第一源极区域和所述第一漏极区域浅；以及第一栅电极。第二晶体管包括：第二栅极绝缘体；第二源极区域和第二漏极区域；一对漂移区域，其分别包围第二源极区域和第二漏极区域；以及第二栅电极。第三晶体管包括：第三栅极绝缘体；第三源极区域和第三漏极区域；以及一对漂移区域，其分别包围第三源极区域和第三漏极区域；以及第三栅电极。第二栅极绝缘体比其他栅极绝缘体薄。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 显示 驱动器 ic 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管形成在半导体基板上，其中，所述第一晶体管包括：第一栅极绝缘体，其具有第一厚度；第一源极区域和第一漏极区域；一对轻掺杂漏极LDD区域，所述一对轻掺杂漏极区域中的每个轻掺杂漏极区域均比所述第一源极区域和所述第一漏极区域浅；以及第一栅电极，所述第二晶体管包括：第二栅极绝缘体，其具有比第一厚度薄的第二厚度：第二源极区域和第二漏极区域；一对漂移区域，其分别包围所述第二源极区域和所述第二漏极区域；以及第二栅电极，以及所述第三晶体管包括：第三栅极绝缘体，其具有第一厚度；第三源极区域和第三漏极区域；以及一对漂移区域，其分别包围所述第三源极区域和所述第三漏极区域；以及第三栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美格纳半导体有限公司，未经美格纳半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710287909.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示装置
- 下一篇：电池片、电池片矩阵、太阳能电池及电池片的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
