[发明专利]一种基于LR-几何插值的电磁成像超分辨方法有效
| 申请号： | 201710287069.0 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107154019B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 谢树果;李雁雯;郝旭春;李圆圆 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G06T3/40 | 分类号： | G06T3/40 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 杨学明;顾炜 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是一种基于LR‑几何插值的电磁成像超分辨方法，在电磁成像系统中，图像模糊主要来自于两个方面，一方面是衍射受限系统的滤波带来的模糊，另一方面是欠采样带来的模糊。对于现有常用电磁成像超分辨算法对图像空间分辨率的提高效果无法满足要求的问题，提出了一种几何平均插值和LR迭代相结合的超分辨算法。具体方法是先对降质图像进行几何平均插值，增大图像像素点，增加图像信息，然后采用LR迭代的超分辨算法对已知点扩散函数的系统进行超分辨恢复，与传统算法相比，恢复后图像空间分辨率在有噪和无噪情况下分别提高了70％和20％，同时对外加噪声有一定的抑制作用，并且通过仿真和实验验证了该方法的正确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 lr 几何 电磁 成像 分辨 方法 | ||
【主权项】：
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