[发明专利]一种基于LR-几何插值的电磁成像超分辨方法有效
申请号: | 201710287069.0 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN107154019B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 谢树果;李雁雯;郝旭春;李圆圆 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | G06T3/40 | 分类号: | G06T3/40 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 杨学明;顾炜 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 lr 几何 电磁 成像 分辨 方法 | ||
1.一种基于LR-几何插值的电磁成像超分辨方法,其特征在于实现步骤如下:
步骤1,获得未知辐射源的降质图像,估计辐射源的大致位置,在仿真软件中建立相应的仿真模型,获得点源的电磁分布图像,即点扩展函数;
步骤2,对降质图像中的像素点每两个进行几何平均运算,将运算后的值赋予中间待插值像素点,从而将图像总像素点数从N*M增加至(2N-1)*(2M-1)个,得到几何平均插值的降质图像,M,N分别为图像长边和宽边的像素点数;
步骤3,利用步骤1中得到的点扩展函数,对经过几何平均插值的降质图像使用LR迭代图像恢复算法进行图像恢复;
所述步骤1具体实现如下:根据获得的降质图像,识别图中所有信号峰值的位置,即图像像素梯度为0的位置,根据公式估计辐射源在物面上的位置,其中D1,D2分别为成像面及辐射源物面到成像系统轴原点距离,d1x,d2x分别为成像面上信号峰值及物面辐射源x轴方向偏离成像系统轴线距离,d1y,d2y分别为成像面上信号峰值及物面辐射源y轴方向偏离成像系统轴线距离,根据估计得到的位置,利用仿真软件FEKO建立相应的仿真模型,得到点扩散函数。
2.根据权利要求1所述的基于LR-几何插值的电磁成像超分辨方法,其特征在于:所述步骤2具体实现如下:
a:对图像x方向像素点两两进行相关运算,相关运算结果赋给中间插值点;
b:对图像y方向像素点两两进行相关运算,相关运算结果赋给中间插值点;
c:根据几何平均的计算方式,将有镂空像素点的图像补充完全,得到几何插值后待恢复图像。
3.根据权利要求1所述的基于LR-几何插值的电磁成像超分辨方法,其特征在于:所述步骤3具体实现如下:
a:输入待恢复降质图像I,输入电磁成像系统点扩散函数PSF,输入迭代次数NUMIT,初始化恢复图像;
b:初始化恢复图像J{1}=I,如果点扩散函数PSF的采样率高于降质图像I,则对点扩散函数进行进一步亚采样,使点扩散函数图像采样率和输入图像I相同;
c:确定算法的迭代核为:
其中Jt+1为最新一次迭代得到的恢复图像,Jt为前一次迭代得到的图像,PSF为点扩散函数,B=Possion(J*PSF)为图像降质的泊松过程;
d:对输入图像使用步骤3中迭代核进行迭代,并对每次结果进行正则性检验;
e:根据输入迭代次数停止迭代,输出最新一次迭代得到的恢复图像J。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学,未经北京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710287069.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。