[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710286361.0 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107452797B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 金润载;金哲;孙龙勋;刘真赫;郑宇陈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括具有有源图案的衬底、交叉有源图案的导电图案、在导电图案的至少一个侧表面上的间隔物结构、以及在导电图案上的封盖结构。封盖结构包括第一封盖图案和第二封盖图案。第二封盖图案设置在第一封盖图案的顶表面和间隔物结构的顶表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，其具有有源图案；导电图案，其交叉所述有源图案，所述导电图案具有彼此相反的侧表面；所述导电图案的所述侧表面中的至少一个中的每一个上的各自的间隔物结构，所述间隔物结构具有顶表面；以及封盖结构，其在所述导电图案上，其中所述封盖结构包括第一封盖图案和第二封盖图案，所述第一封盖图案具有顶表面，以及所述第二封盖图案设置在所述第一封盖图案的所述顶表面上和所述间隔物结构的所述顶表面上。
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