[发明专利]P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构及其制法

摘要

本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构及其制法，本发明的叠层异质结双面电池从正面至背面依次包括透明导电膜、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层、复合层、N型层、P型基体、背面钝化膜和背面电极；本发明制备的电池结合了P型晶体硅背钝化双面和钙钛矿电池技术两种电池的优点，产生的协同效应远大于单个技术，很好的解决了在单独采用背景技术中所述两项技术时产生的诸多问题，如晶体硅效率低，钙钛矿稳定性差等。

主权项

P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构，其特征在于，叠层异质结双面电池从正面至背面依次包括透明导电膜(1)、电子传输层(2)、钙钛矿层(3)、空穴传输层(4)、复合层(5)、N型层(6)、P型基体(7)、背面钝化膜(8)和背面电极(9)。