[发明专利]P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构及其制法

权利要求书

1.P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构，其特征在于，叠层异质结双面电池从正面至背面依次包括透明导电膜(1)、电子传输层(2)、钙钛矿层(3)、空穴传输层(4)、复合层(5)、N型层(6)、P型基体(7)、背面钝化膜(8)和背面电极(9)。

2.根据权利要求1所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构，其特征在于，所述P型基体(7)为单晶或多晶硅片，N型层(6)的掺杂剂含磷浆料。

3.根据权利要求2所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构，其特征在于，所述含磷浆料为POCl₃、PH₃中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构，其特征在于，所述背面电极(9)的材质为银浆或银/铝浆，复合层(5)为本征非晶硅，其厚度为1-10nm。

5.根据权利要求1所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构，其特征在于，所述空穴传输层(4)的材料为有机物或无机物，当为有机物时，空穴传输层(4)为spiro-MeTAD、PTAA或PEDOT-PSS。

6.根据权利要求5所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构，其特征在于，所述空穴传输层(4)为无机物时，空穴传输层(4)的材料为GaP、NiO、CoO、FeO、B1₂O₃、M0O₂、Cr₂0₃或含Cu(l)的化合物。

7.根据权利要求1所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构，其特征在于，所述透明导电膜(1)为ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一种或多种叠层构成，透明导电膜(1)的厚度为50～500nm，透明导电膜(1)的材料为TiO₂、SiO₂、ZrO₂、Al₂O₃或ZnO。

8.P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构的制法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，将P型晶体硅片进行表面织构化处理；

步骤二，在P型晶体硅片的正面进行磷掺杂处理形成N型层；

步骤三，刻蚀去掉P型晶体硅片正面的磷硅玻璃和背结；

步骤四，在P型晶体硅片的背面制作背面电极；

步骤五，进行热处理，使背面电极的栅线与P型硅基体形成良好的欧姆接触；

步骤六，在P型晶体硅片表面生长一层本征非晶硅作为复合层；

步骤七，在复合层的正面制作空穴传输层；

步骤八，在空穴传输层的正面生长钙钛矿层；

步骤九，在钙钛矿层正面生长透明导电膜。

9.根据权利要求8所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构的制法，其特征在于，所述步骤二中，在P型晶体硅片的正面进行磷掺杂处理形成N型层后，方阻为40～100Ω/□。

10.根据权利要求8所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构的制法，其特征在于，所述步骤五中，热处理方式为在链式烧结炉中烧结热处理，烧结温度为300～900℃。