[发明专利]增强源极/漏极区的表面掺杂浓度的方法有效
| 申请号： | 201710276635.8 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107452684B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 史帝文·本利;夫马尔·卡米尼 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/225 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及增强源极/漏极区的表面掺杂浓度的方法，其中，一种增强源极/漏极区的表面扩散物种浓度的方法包括提供用于集成电路的衬底。在该衬底的表面上形成用于半导体装置的n型及p型S/D区中的一者。暴露该S/D区的顶面。沉积扩散层于该S/D区的该顶面上面，该扩散层具有一浓度的扩散物种。加热该扩散层以使该扩散物种扩散进入该S/D区以增强该扩散物种紧邻该S/D区顶面的浓度。从该S/D区的该顶面移除该扩散层。在移除该扩散层后，立即沉积金属层于该S/D区的该顶面上面。从该金属层形成电接触在该S/D区的该顶面上面。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 漏极区 表面 掺杂 浓度 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包含：提供用于集成电路的衬底；在该衬底的表面上形成用于半导体装置的n型及p型S/D区中的一者；暴露该S/D区的顶面；在该S/D区的该顶面上面沉积扩散层，该扩散层具有预定浓度的扩散物种；加热该扩散层以使该扩散物种扩散进入该S/D区以增强该扩散物种紧邻该S/D区的该顶面的浓度；从该S/D区的该顶面移除该扩散层；在移除该扩散层后，立即在该S/D区的该顶面上面沉积金属层；以及从该金属层形成电接触在该S/D区的该顶面上面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
