[发明专利]一种基于非均匀分布界面陷阱的NBTI退化模型获取方法有效
| 申请号： | 201710266163.8 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107220477B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李小进;孙俊雅;孙亚宾;石艳玲;胡少坚;郭奥;田明;廖端泉;王昌锋 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼;马旸 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于非均匀分布界面陷阱的NBTI退化模型获取方法，方法包括：步骤一：划分MOS器件不同区域内的界面陷阱分布，得到界面陷阱的总分布框架；步骤二：根据几何结构分别计算每个区域内的界面陷阱分布密度，得到非均匀分布的界面陷阱总密度；步骤三：根据ΔN |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 均匀分布 界面 陷阱 nbti 退化 模型 获取 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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