[发明专利]存储单元扭曲测量方法

摘要

本发明提供了一种存储单元扭曲测量方法，所述存储单元扭曲测量方法包括：确定所述存储单元的左边界和左基准线，和/或确定所述存储单元的右边界和右基准线；计算所述左边界与所述左基准线的方差，和/或计算所述右边界与所述右基准线的方差；其中，所述方差与所述存储单元的扭曲程度呈正比。本发明中的存储单元扭曲测量方法，通过得到的一个或多个方差值来度量存储单元扭曲程度的值，只使用普通的扫描装置和计算单元即可实现，克服了现有技术中手动测量的精度低、误差大、操作繁琐的问题。

主权项

1.一种存储单元扭曲测量方法，其特征在于，所述存储单元扭曲测量方法包括：确定所述存储单元的左边界和左基准线，和/或确定所述存储单元的右边界和右基准线；计算所述左边界与所述左基准线的方差，和/或计算所述右边界与所述右基准线的方差；其中，所述方差与所述存储单元的扭曲程度呈正比；所述确定所述存储单元的左基准线和/或右基准线包括：将垂直方向设置为所述左基准线和所述右基准线的方向；在所述左边界上选择多个左基准线采集点，并采集多个所述左基准线采集点在垂直方向上的坐标值，将所述左基准线采集点在垂直方向上的坐标值进行平均计算，获得第一平均值，将所述第一平均值作为所述左基准线在垂直方向上的坐标值；在所述右边界上选择多个右基准线采集点，并采集多个所述右基准线采集点在垂直方向上的坐标值，将所述右基准线采集点在垂直方向上的坐标值进行平均计算，获得第二平均值，将所述第二平均值作为所述右基准线在垂直方向上的坐标值；所述存储单元的数量为多个，多个所述存储单元设置在一存储器件中，所述存储器件包括上边界和下边界，或者所述存储单元的数量为单个，所述存储单元还包括上边界和下边界；将所述左基准线和/或所述右基准线延伸，直至与所述上边界和所述下边界相交。