[发明专利]存储单元扭曲测量方法有效

专利信息
申请号: 201710261598.3 申请日: 2017-04-20
公开(公告)号: CN107084697B 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: 刘磊;陆磊;周第廷 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: G01B21/20 分类号: G01B21/20;G11C29/56
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 存储 单元 扭曲 测量方法
【权利要求书】:

1.一种存储单元扭曲测量方法,其特征在于,所述存储单元扭曲测量方法包括:

确定所述存储单元的左边界和左基准线,和/或确定所述存储单元的右边界和右基准线;

计算所述左边界与所述左基准线的方差,和/或计算所述右边界与所述右基准线的方差;

其中,所述方差与所述存储单元的扭曲程度呈正比;

所述确定所述存储单元的左基准线和/或右基准线包括:

将垂直方向设置为所述左基准线和所述右基准线的方向;

在所述左边界上选择多个左基准线采集点,并采集多个所述左基准线采集点在垂直方向上的坐标值,将所述左基准线采集点在垂直方向上的坐标值进行平均计算,获得第一平均值,将所述第一平均值作为所述左基准线在垂直方向上的坐标值;

在所述右边界上选择多个右基准线采集点,并采集多个所述右基准线采集点在垂直方向上的坐标值,将所述右基准线采集点在垂直方向上的坐标值进行平均计算,获得第二平均值,将所述第二平均值作为所述右基准线在垂直方向上的坐标值;

所述存储单元的数量为多个,多个所述存储单元设置在一存储器件中,所述存储器件包括上边界和下边界,或者所述存储单元的数量为单个,所述存储单元还包括上边界和下边界;

将所述左基准线和/或所述右基准线延伸,直至与所述上边界和所述下边界相交。

2.如权利要求1所述的存储单元扭曲测量方法,其特征在于,所述确定所述存储单元的左边界和/或右边界包括:

通过扫描对所述存储单元的图像的灰度值进行采集;

根据所述灰度值对所述存储单元的图像进行处理,大于一阈值灰度值的图像部分存储为黑色图像,小于所述阈值灰度值的图像部分存储为白色图像;

以所述黑色图像为基准,若其自身与所述白色图像的边界位于其自身的左边,则所述边界为左边界,若其自身与所述白色图像的边界位于其自身的右边,则所述边界为右边界。

3.如权利要求2所述的存储单元扭曲测量方法,其特征在于,当所述存储单元的数量为多个时,所述上边界到所述下边界的最短距离为所述垂直方向;

多个所述存储单元沿所述垂直方向排列。

4.如权利要求2所述的存储单元扭曲测量方法,其特征在于,当所述存储单元的数量为单个时,所述上边界到所述下边界的最短距离为所述垂直方向。

5.如权利要求3或4所述的存储单元扭曲测量方法,其特征在于,计算所述左边界与所述左基准线的方差包括:

在已确定的所述左边界上选择多个左方差采集点,采集多个所述左方差采集点在垂直方向上的坐标值,多个所述左方差采集点在垂直方向上的坐标值均减去所述第一平均值,得到多个差值,分别计算多个所述差值的平方值并计算多个所述平方值的平均值,得到第三平均值,所述第三平均值为所述左边界与所述左基准线的方差。

6.如权利要求5所述的存储单元扭曲测量方法,其特征在于,计算所述右边界与所述右基准线的方差包括:

在已确定的所述右边界上选择多个右方差采集点,采集多个所述右方差采集点在垂直方向上的坐标值,多个所述右方差采集点在垂直方向上的坐标值均减去所述第二平均值,得到多个差值,分别计算多个所述差值的平方值并计算多个所述平方值的平均值,得到第四平均值,所述第四平均值为所述右边界与所述右基准线的方差。

7.如权利要求6所述的存储单元扭曲测量方法,其特征在于,所述存储单元扭曲测量方法包括:

确定所述存储单元的中心线;

确定所述存储单元的中心基准线;

计算所述中心线和所述中心基准线的方差。

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