[发明专利]存储单元扭曲测量方法

说明书

本发明提供了一种存储单元扭曲测量方法，所述存储单元扭曲测量方法包括：确定所述存储单元的左边界和左基准线，和/或确定所述存储单元的右边界和右基准线；计算所述左边界与所述左基准线的方差，和/或计算所述右边界与所述右基准线的方差；其中，所述方差与所述存储单元的扭曲程度呈正比。本发明中的存储单元扭曲测量方法，通过得到的一个或多个方差值来度量存储单元扭曲程度的值，只使用普通的扫描装置和计算单元即可实现，克服了现有技术中手动测量的精度低、误差大、操作繁琐的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储单元扭曲测量方法。

背景技术

三维非易失性存储器件中，包括一个或多个存储单元，存储单元的扭曲程度是非常关键的参数，如果存储单元存在较大的扭曲度，而且由于测量仪器精度不高，或测量方法不合理，会造成存储单元的扭曲在整个存储器件的制作过程中没有得到适当的处理，不但使存储器件的关键尺寸测量不准确，难以控制，还会造成某些存储单元之间的连接关系出错，整个存储器件失效。现有的存储单元的扭曲测量是利用传统的测量仪器进行手动测量，效率很低，且精度无法保证。

因此，需要设计一种精度高的存储单元扭曲测量方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储单元扭曲测量方法，以解决现有的存储单元扭曲测量方法无法保证精度的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种存储单元扭曲测量方法，所述存储单元扭曲测量方法包括：

确定所述存储单元的左边界和左基准线，和/或确定所述存储单元的右边界和右基准线；

计算所述左边界与所述左基准线的方差，和/或计算所述右边界与所述右基准线的方差；

其中，所述方差与所述存储单元的扭曲程度呈正比。

可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述确定所述存储单元的左边界和/或右边界包括：

通过扫描对所述存储单元的图像的灰度值进行采集；

根据所述灰度值对所述存储单元的图像进行处理，大于一阈值灰度值的图像部分存储为黑色图像，小于所述阈值灰度值的图像部分存储为白色图像；

以所述黑色图像为基准，若其自身与所述白色图像的边界位于其自身的左边，则所述边界为左边界，若其自身与所述白色图像的边界位于其自身的右边，则所述边界为右边界。

可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述存储单元的数量为多个，多个所述存储单元设置在一存储器件中，其中：

所述存储器件包括上边界和下边界，所述上边界到所述下边界的最短距离为垂直方向；

多个所述存储单元沿所述垂直方向排列。

可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述存储单元的数量为单个，所述存储单元还包括上边界和下边界，其中：

所述上边界到所述下边界的最短距离为垂直方向。

可选的，在所述的存储单元扭曲测量方法中，所述确定所述存储单元的左基准线和/或右基准线包括：

将所述存储器件的垂直方向设置为所述左基准线和所述右基准线的方向；

在所述左边界上选择多个左基准线采集点，并采集多个所述左基准线采集点在垂直方向上的坐标值，将所述左基准线采集点在垂直方向上的坐标值进行平均计算，获得第一平均值，将所述第一平均值作为所述左基准线在垂直方向上的坐标值；

在所述右边界上选择多个右基准线采集点，并采集多个所述右基准线采集点在垂直方向上的坐标值，将所述右基准线采集点在垂直方向上的坐标值进行平均计算，获得第二平均值，将所述第二平均值作为所述右基准线在垂直方向上的坐标值；