[发明专利]纳米线的构筑方法及数据存储方法在审

专利信息
申请号: 201710261469.4 申请日: 2017-04-20
公开(公告)号: CN107068857A 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 龙世兵;李磊磊;滕蛟;刘琦;吕杭炳;刘明 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/12;B82Y40/00;B82Y25/00;B82Y10/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 韩建伟,谢湘宁
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种纳米线的构筑方法及数据存储方法。该纳米线的构筑方法包括以下步骤S1,在衬底上顺序层叠设置下电极层、绝缘层和上电极层,且上电极层或下电极层为铁磁电极层;S2,向铁磁电极层上施加正扫描电压,使下电极层与上电极层之间具有正电势差,形成纳米线。相比于现有技术中纳米线的构筑方法,本发明的上述构筑方法大大简化了制备工艺,降低了制备成本,提高了工艺稳定性与制备效率,进而能够被广泛推广和应用;并且,将上述纳米线的构筑方法应用于M/I/M的存储器结构中后,能够同时实现阻变存储效应和自旋相关效应,从而在简单的结构中实现了多态操作以及多值存储,通过磁电耦合效应为多级存储器件提供了载体。
搜索关键词: 纳米 构筑 方法 数据 存储
【主权项】:
一种纳米线的构筑方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,在衬底上顺序层叠设置下电极层、绝缘层和上电极层,且所述上电极层或所述下电极层为铁磁电极层;S2,向所述铁磁电极层上施加正扫描电压,使所述下电极层与所述上电极层之间具有正电势差,形成纳米线。
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