[发明专利]硅基电注入激光器及其制备方法

摘要

一种硅基电注入激光器及其制备方法，该制备方法包括：在绝缘硅衬底的上表面生长SiO₂层，并在SiO₂层的中间位置刻蚀出贯穿SiO₂层的第一矩形槽；腐蚀绝缘硅衬底，在与第一矩形槽相对应的位置，形成与第一矩形槽等宽的V型槽；在V型槽和第一矩形槽内生长形成N型位错限制层、N型缓冲层和外延结构；腐蚀去除SiO₂层的剩余部分，完成硅基电注入激光器的制备。本发明由于直接外延采用选区V型槽工艺，不易产生缺陷及反相畴，并可大大降低缓冲层的厚度，因此器件的总体厚度小，降低了硅基光电集成中其余器件工艺实施的难度。

主权项

1.一种硅基电注入激光器，包括：绝缘硅衬底，其上表面的中心位置具有一V型槽；N型位错限制层，形成于所述V型槽的表面上，且其顶部与所述绝缘硅衬底的上表面平齐；N型缓冲层，位于所述V型槽内，填满所述V型槽除所述N型位错限制层外的其他空间，且其上表面与所述绝缘硅衬底的上表面平齐；外延结构，形成于所述N型缓冲层及N型位错限制层的上表面，所述外延结构与所述V型槽等宽；介质层，形成于所述外延结构上表面及侧面；金属层，形成于所述介质层的上表面及侧面；其中，所述介质层和金属层均延伸至所述绝缘硅衬底的上表面，且所述介质层和金属层的上表面有贯穿至所述外延结构上表面的矩形槽，且所述矩形槽的四周被所述介质层和金属层包围。