[发明专利]一种硅溶胶抛光液的制备方法有效
申请号: | 201710253914.2 | 申请日: | 2017-04-18 |
公开(公告)号: | CN106978088B | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 胡浩 | 申请(专利权)人: | 海安县中丽化工材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人: | 高之波;倪金磊 |
地址: | 226600 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种硅溶胶抛光液的制备方法,包括以下步骤:S1、将粒径为100‑120nm、固含量为43%‑45%的硅溶胶和粒径为20‑30nm、固含量为43%‑45%的硅溶胶按照摩尔比7:3混合;S2、在混合后的硅溶胶溶液中以10‑20KG/h的速度加入0.3‑0.5%的KCl或NaCl溶液,同时使用搅拌棒进行搅拌,搅拌速度为60‑80r/min,加完后静置1‑2h;S3、以10‑20kg/h的速度加入浓度为10%的KOH或NaOH溶液,直到混合溶液的pH调节至10.0‑10.5。该方法制备得到的硅溶胶抛光液对蓝宝石石抛光具有抛光速率高、抛光表面质量好的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅溶胶 抛光 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硅溶胶抛光液的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、将粒径为100‑120nm、固含量为43%‑45%的硅溶胶和粒径为20‑30nm、固含量为43%‑45%的硅溶胶按照摩尔比7:3混合;S2、在混合后的硅溶胶溶液中以10‑20kg/h的速度加入0.3‑0.5%的KCl或NaCl溶液,同时使用搅拌棒进行搅拌,搅拌速度为60‑80r/min,加完后静置1‑2h;S3、以10‑20kg/h的速度加入浓度为10%的KOH或NaOH溶液,直到混合溶液的pH调节至10.0‑10.5;其中,粒径为20‑30nm的硅溶胶的制备方法包括以下步骤:α1、将质量百分含量为10%的硅酸钠溶液,经过阳离子交换树脂,得到活性硅酸;α2、将质量百分含量为10%的活性硅酸加入反应罐,在反应罐中加入碱溶液调节pH值为9‑11,通过水蒸气加热,加热温度控制在100‑120℃,加热时间为10‑20h,得到固含量为43%‑45%,粒径为20‑30nm的硅溶胶溶液;其中,粒径为100‑120nm的硅溶胶的制备方法包括以下步骤:α3、将质量百分含量为10%的步骤α2制备的20‑30nm的硅溶胶溶液加入反应罐,在反应罐中加入碱溶液调节pH值为9‑11,通过水蒸气加热,加热温度控制在100‑120℃,加热时间为60‑65h,得到固含量为43%‑45%,粒径为100‑120nm的硅溶胶溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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