[发明专利]一种高密度随机存储器架构有效
| 申请号： | 201710247400.6 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN108735894B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 肖荣福;郭一民;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高密度随机存储器架构，包括：由第一区域至第N区域依次排布形成的串联式半导体薄膜，其中N为不小于三的整数；其中，奇数区域具有第一掺杂类型，偶数区域具有第二掺杂类型；在串联式半导体薄膜的奇数区域上方交替形成漏极和源极；在串联式半导体薄膜的偶数区域下方分别形成有栅极；在串联式半导体薄膜与各个栅极之间形成有氧化物绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 随机 存储器 架构 | ||
【主权项】：
1.一种高密度随机存储器架构，其特征在于包括：由第一区域至第N区域依次排布形成的串联式半导体薄膜，其中N为不小于三的整数；其中，奇数区域具有第一掺杂类型，偶数区域具有第二掺杂类型；在串联式半导体薄膜的奇数区域上方交替形成漏极和源极；在串联式半导体薄膜的偶数区域下方分别形成有栅极；在串联式半导体薄膜与各个栅极之间形成有氧化物绝缘层。
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