[发明专利]一种高密度随机存储器架构有效
| 申请号： | 201710247400.6 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN108735894B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 肖荣福;郭一民;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 随机 存储器 架构 | ||
1.一种高密度随机存储器架构，其特征在于包括：由第一区域至第N区域依次排布形成的串联式半导体薄膜，其中N为不小于三的整数；其中，奇数区域具有第一掺杂类型，偶数区域具有第二掺杂类型；在串联式半导体薄膜的奇数区域上方交替形成漏极和源极；在串联式半导体薄膜的偶数区域下方分别形成有栅极；在串联式半导体薄膜与各个栅极之间形成有氧化物绝缘层；其中，相邻的漏极与源极之间由氧化物隔离区域隔开，所有栅极均有氧化物将其与衬底隔开；其中各个漏极和各个源极之间由氧化物隔离区域隔开，而且所有栅极底部均用氧化物绝缘层将其与衬底隔开。
2.如权利要求1所述的高密度随机存储器架构，其特征在于，第一掺杂类型为n+型掺杂类型，第二掺杂类型为p型掺杂类型。
3.如权利要求1所述的高密度随机存储器架构，其特征在于，第一掺杂类型为p+型掺杂类型，第二掺杂类型为n型掺杂类型。
4.如权利要求1至3之一所述的高密度随机存储器架构，其特征在于，奇数区域的掺杂类型相同，并且掺杂浓度相等。
5.如权利要求1至3之一所述的高密度随机存储器架构，其特征在于，偶数区域的掺杂类型相同，并且掺杂浓度相等。
6.如权利要求1至3之一所述的高密度随机存储器架构，其特征在于，偶数区域的掺杂类型与奇数区域的掺杂类型相反，并且偶数区域的掺杂浓度小于奇数区域的掺杂浓度。
7.如权利要求1至3之一所述的高密度随机存储器架构，其特征在于，各个栅极分别连接随机存储器的字线，各个漏极连接随机存储器的位线，各个源极连接随机存储器的源线。
8.如权利要求1至3之一所述的高密度随机存储器架构，其特征在于，所述高密度随机存储器架构具有常闭式电路控制功能。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710247400.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
