[发明专利]超声波指纹传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201710245690.0 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN107092880B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 季锋;闻永祥;刘琛;周浩 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06V40/13 | 分类号： | G06V40/13;H10N39/00;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了超声波指纹传感器及其制造方法。所述方法包括：形成CMOS电路；以及在所述CMOS电路上形成超声波换能器。在该方法中，形成超声波换能器的步骤包括：形成模板层；在所述模板层中形成第一开口；在所述模板层上形成停止层，所述停止层共形地覆盖所述模板层；在所述停止层上形成牺牲层，所述牺牲层填充所述第一开口；在所述停止层和所述牺牲层上形成掩模层，所述掩模层覆盖所述牺牲层；在所述掩模层上形成到达所述牺牲层的至少一个第二开口；经由所述至少一个第二开口去除所述牺牲层形成空腔，以及在所述掩模层上形成压电叠层。该方法利用模板层和停止层形成空腔，从而可以降低制造成本以及提高传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 超声波 指纹 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造超声波指纹传感器的方法，包括：形成CMOS电路；以及在所述CMOS电路上形成超声波换能器，所述CMOS电路与所述超声波换能器连接，用于驱动所述超声波换能器和处理所述超声波换能器产生的检测信号，其中，形成超声波换能器的步骤包括：形成模板层；在所述模板层中形成第一开口；在所述模板层上形成停止层，所述停止层共形地覆盖所述模板层；在所述停止层上形成牺牲层，所述牺牲层填充所述第一开口；在所述停止层和所述牺牲层上形成掩模层，所述掩模层覆盖所述牺牲层；在所述掩模层上形成到达所述牺牲层的至少一个第二开口；经由所述至少一个第二开口去除所述牺牲层形成空腔；在所述掩模层上形成压电叠层；以及形成所述压电叠层与所述CMOS电路之间的电连接，其中，所述停止层和所述掩模层共同围绕所述空腔。
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